В России разрабатывают новую память

16 марта 2016, 09:23

МФТИ совместно с компанией «Крокус НаноЭлектроника» начал и совместную разработку магнитной памяти нового поколения. Об этом сообщает корпорация «Роснано». Речь идет о технологии Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM), которая считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем. «Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление. Поэтому мы возлагаем большие надежды на эту программу», — отмечает генеральный директор «Крокус НаноЭлектроника» Олег Сютин. В свою очередь заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер заявил, что «В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании новых материалов и структур для микроэлектроники… Это позволит запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время».