Самый быстрый транзистор

11 марта 2002, 00:00

Крупнейшая американская компьютерная корпорация IBM создала самый быстрый в мире полупроводниковый транзистор, работающий на частоте свыше 110 ГГц. Он обрабатывает электрический сигнал за 4,3 триллионных доли секунды. Транзистор получил рабочее название SiGe 8HP.

Невиданное доселе быстродействие стало возможно благодаря кремниево-германиевой технологии (SiGe), примененной в новинке. Именно германий позволяет достичь невозможных для чисто кремниевых кристаллов скоростей. Недаром SiGe-технологию американские ученые образно называют zip for chip, сравнивая ее с архиватором для компьютерных файлов.

Как утверждает вице-президент Центра исследований и разработок IBM в области связи доктор Бернард Мейерсон, "в то время как большинство производителей чипов демонстрируют только первые образцы кремниево-германиевых транзисторов, мы переходим к четвертому поколению этой технологии".

Появление первых микросхем, основанных на новых транзисторах SiGe 8HP, ожидается в течение 2002 года. Их выпустит совместно с IBM компания Sierra Monolithics, Inc.

Испытания нового транзистора показали, что кремниево-германиевые полупроводники потребляют намного меньше электроэнергии, чем полупроводники на арсениде галлия и фосфиде индия - материалах, которые традиционно считались незаменимыми для обеспечения работы на столь высоких скоростях. Основными потребителями супертранзистора корпорация IBM видит производителей телекоммуникационных систем. Не обойдет SiGe-технология и сотовые телефоны. Мобильник с микросхемой на их основе и стандартной батареей будет работать без подзарядки намного дольше.

В недавно опубликованном отчете исследовательской фирмы IC Insights утверждается, что в 2001 году общий объем продаж продукции SiGe составил 320 млн долларов, а к 2006-му он достигнет 2,7 млрд. Доходы IBM от продажи SiGe в 2001 году увеличились на 80% по сравнению с 2000-м и составили более 80% от всего объема рынка SiGe.