Корпорация Intel создала опытные образцы микропроцессоров, размер транзисторов в которых составляет всего 90 нанометров (нанометр - одна миллиардная доля метра), и начнет их промышленный выпуск в 2003 году.
В технологическом процессе впервые используется "напряженный" кремний, атомы которого в кристаллической решетке "прорежены", что обеспечивает более свободное протекание тока и позволяет повысить быстродействие транзистора, а также медные соединения с новым диэлектриком - легированным углеродом оксидом кремния с низкой диэлектрической проницаемостью, благодаря чему повышается скорость распространения сигнала в кристалле и снижается энергопотребление процессора. Применение нанотехнологий, уже отработанных компанией на более простых чипах синхронной памяти SRAM емкостью 52 МБ, позволит производить процессоры с тактовой частотой, превышающей 3 ГГц, и уменьшить их размер вдвое.
Перейдя на технологический процесс с новой проектной нормой (ранее она составляла 130 нанометров, или 0,13 мк), корпорация на время посрамила скептиков, сомневающихся в том, что так называемый закон Мура будет действовать в обозримом будущем. Этот "закон", который Гордон Мур, один из отцов-основателей Intel, сформулировал в 1965 году и считал не более чем "эмпирическим правилом", гласит, что количество транзисторов, которое вмещает интегральная схема, будет возрастать вдвое каждые полтора-два года. Теоретически это означает существенное, на десятки процентов, увеличение производительности каждого нового поколения чипов.
Если в первом промышленном процессоре Intel 4004 было всего 2300 транзисторов, то в современных Pentium IV их уже более 55 млн, а в новом процессоре их число превысит 100 млн. Сам Мур полагал, что конец этой закономерности может положить сама природа: едва ли можно создать чипы, размеры элементов которых будут менее 0,25 микрона. И хотя 90-нанометровый транзистор - уже третье "размерное" поколение после чипов, созданных по технологии 0,25 микрона еще пять лет назад, уже виден предел, за которым, оставаясь в рамках нынешней технологической платформы, придется этот закон нарушить.
Экспоненциальный рост числа транзисторов в микросхеме требует все более быстрого уменьшения их размеров. Миниатюризация деталей влечет за собой удорожание технологий; инвестиции в разработку каждого нового образца тоже растут экспоненциально (так, в 2001 году только на НИОКР в области нанотехнологий Intel израсходовала более миллиарда долларов). Сегодняшняя, по сути стандартная, технология Intel уже работает с размерами в десятки нанометров, еще чуть-чуть - и мы попадаем в диапазон атомных размеров, где все начинает подчиняться необычным квантовым правилам, инвестиции в борьбу с которыми бесполезны, даже если они растут по экспоненте.
