На прошлой неделе Александру Екимову, Владимиру Сидорову из Института физики высоких давлений и Николаю Мельнику из Физического института Академии наук (ФИАН) при помощи американских коллег удалось вырастить из карбида бора и графита искусственный алмаз, проявляющий сверхпроводящие свойства при четырех градусах по Кельвину (-269оC).
Конечно, главное достижение российских физиков не температура, при которой полученный алмаз становится сверхпроводником. После того как в начале 70-х годов прошлого века вышла монография "Высокотемпературная сверхпроводимость" Виталия Гинзбурга и его сотрудников, объяснявшая, что сверхпроводник необязательно должен быть проводником при обычных условиях (например, при комнатной температуре и нормальном давлении он может быть и диэлектриком, как тот же алмаз), было выращено много структур, в том числе и кристаллических, которые становились сверхпроводящими и при значительно более высоких температурах. В 1988 году был преодолен так называемый азотный барьер (азот переходит в жидкое состояние при 77оK, или -196оC), а с в 1994 года, когда был синтезирован материал с температурой сверхпроводимости 164оK (или всего -109оC), дело было и вовсе поставлено на поток.
Проблема, однако же, заключается в том, что в сильном электромагнитном поле такие материалы теряют свои сверхпроводящие свойства, и это серьезно ограничивает их применение или заставляет разработчиков оборудования идти на дорогостоящие ухищрения, чтобы обойти это препятствие. Российские ученые впервые получили материал, который не теряет своих сверхпроводящих свойств в магнитном поле напряженностью до 3,5 тесла. Теперь предполагается синтезировать сверхпроводящие кристаллы алмаза с включениями германия и кремния, еще более устойчивые к воздействию магнитных полей.
